一、概 述

    本仪器结构合理、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：砷化镓（GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可了解半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性的实验特点，可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合性物理实验，也可用于演示实验。                                  

二、技术指标

1. 恒流源：电流0～1000ｍA连续可调，作为电磁铁励磁电流


2. 数字式特斯拉计：测量范围0～0.5T，最小分辨率0.001T，精度为±1%

三、实验项目